IGBT module Infineon FP15R12W1T4

(1 đánh giá của khách hàng)

3.300₫

Tên sản phẩm IGBT FP15R12W1T4
Kiểu dáng Module
Hãng sản xuất Infineon
Xuất xứ Nhật Bản, Canada, Úc
Dòng điện 15A
Điện thế 1200V
Cân nặng 24 g
IF 15A
IFRM
30A tp = 1ms
VRRM
1600V Tvj = 25 (oC)

Quà tặng / Khuyến mãi

Mô tả

IGBT module Infineon FP15R12W1T4

1.IGBT module Infineon FP15R12W1T4:

Tên sản phẩm IGBT FP15R12W1T4
Kiểu dáng Module
Hãng sản xuất Infineon
Xuất xứ Nhật Bản, Canada, Úc
Dòng điện 15A
Điện thế 1200V
Cân nặng 24 g
IF 15A
IFRM
30A tp = 1ms
VRRM
1600V Tvj = 25 (oC)

2. Các model tương đương:

FF150R12KS4
FF200R17KE3
FP100R12KT4
FP15R12W1T4
FP50R12KT4G
FP75R12KT4

3. Các điều khoản thanh toán:

Thanh toán đối với hàng có sẵn: thanh toán 100% ngay sau khi giao hàng bằng tiền mặt, hoặc trước khi giao hàng bằng chuyển khoản.

Thanh toán đối với hàng đặt:

Đợt 1: Thanh toán 50% tổng giá chị đơn hàng khi xác nhận đặt hàng.

Đợt 2: Thanh toán 50% giá trị đơn hàng ngay khi giao hàng bằng tiền mặt hoặc nhận được thông báo hàng đã về kho bên bán bằng chuyển khoản.
Công nợ: vui lòng liên hệ trực tiếp để được tư vấn.

Tất cả thiết bị do Thiết Bị Điện Số 1 bán ra đều có hóa đơn GTGT (VAT 10%)

4. Thông tin liên hệ để mua IGBT module Infineon FP15R12W1T4:

Công Ty TNHH Kỹ Thuật Thiết Bị Điện Số 1
Địa chỉ: 11/2N Ấp Nam Lâm, Xã Bà Điểm, Huyện Hóc Môn, Thành Phố Hồ Chí Minh, Việt Nam
Số điện thoại: 070.3578.742
Email: sales02@thietbidienso1.com

Bình luận

1 đánh giá cho IGBT module Infineon FP15R12W1T4

5.00 1 đánh giá của khách hàng
5 100% | 1 đánh giá
4 0% | 0 đánh giá
3 0% | 0 đánh giá
2 0% | 0 đánh giá
1 0% | 0 đánh giá
Đánh giá ngay
Đánh giá IGBT module Infineon FP15R12W1T4
Gửi ảnh chụp thực tế
0 ký tự (tối thiểu 10)
    +

    Tư vấn bán hàng qua Facebook

    Sản phẩm tương tự

    Mô đun IGBT Infineon FP50R12KT4G

    7.000₫
    Mô đun IGBT Infineon FP50R12KT4G
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector-Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,85 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 50 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 100 nA Pd - Tản điện: 280 W Gói/Trường hợp: Tiết kiệm 3 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

    Module IGBT Infineon FP25R12W1T7

    6.500₫
    Module IGBT Infineon FP25R12W1T7
    Cấu hình PIM Kích thước (chiều dài) 56,7mm Kích thước (chiều rộng) 48mm Nhà ở EasyPIM™ 1B I C( danh nghĩa) / I F( danh nghĩa) 25 A I C tối đa 25 A Trình độ chuyên môn Công nghiệp Công nghệ IGBT7 - T7 V CE(sat) (Tvj=25°C loại) 1,6 V VF ( loại Tvj=25°C) 1,83 V Cấp điện áp tối đa 1200V

    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT4
    Chào mừng quý khách đến với thietbidienso1.com Thietbidienso1.com chuyên cung thiết bị và dịch vụ cho hệ thống điện tự động trong công nghiệp cũng như điện dân dụng. Chúng tôi tự hào là nhà cung cấp thiết bị điện cho nhiều tập đoàn, nhà máy lớn tại Việt Nam. Với đội ngũ chuyên gia có nhiều kinh nghiệm nhiều năm và đã từng tham gia những dự án lớn quan trọng khắp Việt Nam sẽ tận tâm tư vấn và hỗ trợ nhanh chóng cho quý khách hàng. Chúng tôi luôn luôn lắng nghe ý kiến của quý khách, không ngừng cải tiến và nâng cao chất lượng dịch vụ với mục tiêu đáp ứng tất cả nhu cầu của khách hàng

    Mô đun IGBT Infineon FP100R12KT4

    5.000₫
    Mô đun IGBT Infineon FP100R12KT4
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector-Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,75 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 100 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 100 nA Pd - Tản điện: 515 W Gói/Trường hợp: Tiết kiệm 3 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Chiều cao: 17 mm Chiều dài: 122 mm Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT Loạt: Trenchstop IGBT4 - T4 Số lượng gói nhà máy: 10 Tiểu thể loại: IGBT

    Thyristor Infineon T2709N22TOF

    0₫
    Thyristor Infineon T2709N22TOF
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun SCR Hiện tại ở trạng thái không lặp lại: 54 kA Điện áp ngoài trạng thái lặp lại định mức VDRM: 2,2 kV Dòng rò ngoài trạng thái @ VDRM IDRM: 250 mA Giữ Ih Max hiện tại: 300 mA Điện áp kích hoạt cổng - Vgt: 2V Dòng kích hoạt cổng - Igt: 250 mA Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C Kiểu lắp: Nhấn Fit Gói/Trường hợp: T-11026 Thương hiệu: Công nghệ Infineon Loại mạch: SCR Đánh giá hiện tại: 3,7 A Loại sản phẩm: Mô-đun SCR Tiểu thể loại: Thyristor Công nghệ: Sĩ

    Mô-đun IGBT Infineon BSM15GP120

    0₫
    Mô-đun IGBT Infineon BSM15GP120
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: lục giác Điện áp Collector- Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 2,2 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 35 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 300 nA Pd - Tản điện: 180 W Gói/Trường hợp: Kinh tếPIM2 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Chiều cao: 17 mm Chiều dài: 107,5mm Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT Tiểu thể loại: IGBT Công nghệ: Và Chiều rộng: 45 mm

    Mô đun IGBT Infineon FP35R12W2T4_B11

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FP35R12W2T4_B11
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector- Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,85 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 54 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 400 nA Pd - Tản điện: 215 W Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 2.1 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 580 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 2.4 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.5 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V