Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4

(1 đánh giá của khách hàng)

0₫

Nhiệt độ hoạt động mở rộng T vj op
V CEsat thấp
Sự mạnh mẽ vô song
V CEsat với hệ số nhiệt độ dương
Tấm đế cách ly
Nhà ở tiêu chuẩn
4 kV AC 1 phút Cách điện
Gói có CTI > 400
Khoảng cách rò rỉ và khoảng cách thông thủy cao

Quà tặng / Khuyến mãi

Mô tả

Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4

1.Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4:

Nhiệt độ hoạt động mở rộng T vj op
V CEsat thấp
Sự mạnh mẽ vô song
V CEsat với hệ số nhiệt độ dương
Tấm đế cách ly
Nhà ở tiêu chuẩn
4 kV AC 1 phút Cách điện
Gói có CTI > 400
Khoảng cách rò rỉ và khoảng cách thông thủy cao

2. Các điều khoản thanh toán:

Thanh toán đối với hàng có sẵn: thanh toán 100% ngay sau khi giao hàng bằng tiền mặt, hoặc trước khi giao hàng bằng chuyển khoản.

Thanh toán đối với hàng đặt:

Đợt 1: Thanh toán 50% tổng giá chị đơn hàng khi xác nhận đặt hàng.

Đợt 2: Thanh toán 50% giá trị đơn hàng ngay khi giao hàng bằng tiền mặt hoặc nhận được thông báo hàng đã về kho bên bán bằng chuyển khoản.
Công nợ: vui lòng liên hệ trực tiếp để được tư vấn.

Tất cả thiết bị do Thiết Bị Điện Số 1 bán ra đều có hóa đơn GTGT (VAT 10%)

3. Thông tin liên hệ để mua Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4:

Công Ty TNHH Kỹ Thuật Thiết Bị Điện Số 1
Địa chỉ: 11/2N Ấp Nam Lâm, Xã Bà Điểm, Huyện Hóc Môn, Thành Phố Hồ Chí Minh, Việt Nam
Số điện thoại: 070.3578.742
Email: sales02@thietbidienso1.com

Bình luận

1 đánh giá cho Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4

5.00 1 đánh giá của khách hàng
5 100% | 1 đánh giá
4 0% | 0 đánh giá
3 0% | 0 đánh giá
2 0% | 0 đánh giá
1 0% | 0 đánh giá
Đánh giá ngay
Đánh giá Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4
Gửi ảnh chụp thực tế
0 ký tự (tối thiểu 10)
    +

    Tư vấn bán hàng qua Facebook

    Sản phẩm tương tự

    Mô đun IGBT Infineon FP100R12KT4

    5.000₫
    Mô đun IGBT Infineon FP100R12KT4
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector-Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,75 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 100 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 100 nA Pd - Tản điện: 515 W Gói/Trường hợp: Tiết kiệm 3 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Chiều cao: 17 mm Chiều dài: 122 mm Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT Loạt: Trenchstop IGBT4 - T4 Số lượng gói nhà máy: 10 Tiểu thể loại: IGBT

    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT3

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT3
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 1.7 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 480 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 1.45 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 125 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.9 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V Kiểu gắn: Screw Mount Loại sản phẩm: IGBT Modules

    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 2.1 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 580 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 2.4 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.5 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V

    Mô-đun IGBT Infineon FP25R12W1T7_B11

    0₫
    Mô-đun IGBT Infineon FP25R12W1T7_B11
    Cấu hình PIM Kích thước (chiều rộng) 33,8 mm Kích thước (chiều dài) 62,8 mm Đặc trưng nhấnFIT Nhà ở EasyPIM™ 1B I C( danh nghĩa) / I F( danh nghĩa) 25 A I C tối đa 25 A Trình độ chuyên môn Công nghiệp Công nghệ IGBT7 - T7 V CE(sat) (Tvj=25°C loại) 1,6 V VF (loại Tvj= 25 °C) 1,83 V Cấp điện áp tối đa 1200V

    Mô đun IGBT Infineon FP35R12KT4_B15

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FP35R12KT4_B15
    Số hiệu sản phẩm của nhà sản xuất FP35R12KT4_B15 Nhà sản xuất Infineon Dòng sản phẩm Kinh tếPIM Bộ phim Gia đình Transistor Infineon, Dòng EconoPIM Sự miêu tả IPM Ic 35 Một Vces 1.200 vôn Phanh Đúng Cảm biến nhiệt độ Đúng Điện trở cảm biến dòng điện KHÔNG Phê duyệt UL Bình luận IGBT rãnh nhanh Trọng lượng tịnh 0,3968 pound Tổng trọng lượng 0,3968 pound

    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT4
    Chào mừng quý khách đến với thietbidienso1.comThietbidienso1.com chuyên cung thiết bị và dịch vụ cho hệ thống điện tự động trong công nghiệp cũng như điện dân dụng.Chúng tôi tự hào là nhà cung cấp thiết bị điện cho nhiều tập đoàn, nhà máy lớn tại Việt Nam.Với đội ngũ chuyên gia có nhiều kinh nghiệm nhiều năm và đã từng tham gia những dự án lớn quan trọng khắp Việt Nam sẽ tận tâm tư vấn và hỗ trợ nhanh chóng cho quý khách hàng.Chúng tôi luôn luôn lắng nghe ý kiến của quý khách, không ngừng cải tiến và nâng cao chất lượng dịch vụ với mục tiêu đáp ứng tất cả nhu cầu của khách hàng

    Thyristor Infineon T2709N22TOF

    0₫
    Thyristor Infineon T2709N22TOF
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun SCR Hiện tại ở trạng thái không lặp lại: 54 kA Điện áp ngoài trạng thái lặp lại định mức VDRM: 2,2 kV Dòng rò ngoài trạng thái @ VDRM IDRM: 250 mA Giữ Ih Max hiện tại: 300 mA Điện áp kích hoạt cổng - Vgt: 2V Dòng kích hoạt cổng - Igt: 250 mA Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 125 C Kiểu lắp: Nhấn Fit Gói/Trường hợp: T-11026 Thương hiệu: Công nghệ Infineon Loại mạch: SCR Đánh giá hiện tại: 3,7 A Loại sản phẩm: Mô-đun SCR Tiểu thể loại: Thyristor Công nghệ: Sĩ

    Mô đun IGBT Infineon FP35R12W2T4_B11

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FP35R12W2T4_B11
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector- Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,85 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 54 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 400 nA Pd - Tản điện: 215 W Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT