Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4

(1 đánh giá của khách hàng)

0₫

Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Hai
Điện áp cực thu-cực phát VCEO Max: 1,2kV
Điện áp bão hòa cực thu-cực phát: 1,75V
Dòng điện liên tục của cực thu ở 25 độ C: 1,4kA
Dòng rò cổng-emitter: 400 giờ
Pd – Tản điện: 7,65kW
Gói / Vỏ: CHÍNH THỨC3
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: – 40 độ C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 độ C
Bao bì: Khay
Thương hiệu: Công nghệ Infineon
Chiều cao: 38mm
Chiều dài: 250mm
Điện áp cực đại của cực phát cổng: 20V
Kiểu lắp đặt: Vít gắn
Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

Quà tặng / Khuyến mãi

Mô tả

Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4

1.Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4:

Nhà sản xuất: Infineon
Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT
Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT
Cấu hình: Hai
Điện áp cực thu-cực phát VCEO Max: 1,2kV
Điện áp bão hòa cực thu-cực phát: 1,75V
Dòng điện liên tục của cực thu ở 25 độ C: 1,4kA
Dòng rò cổng-emitter: 400 giờ
Pd – Tản điện: 7,65kW
Gói / Vỏ: CHÍNH THỨC3
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: – 40 độ C
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 độ C
Bao bì: Khay
Thương hiệu: Công nghệ Infineon
Chiều cao: 38mm
Chiều dài: 250mm
Điện áp cực đại của cực phát cổng: 20V
Kiểu lắp đặt: Vít gắn
Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

2.Các điều khoản thanh toán:

Thanh toán đối với hàng có sẵn: thanh toán 100% ngay sau khi giao hàng bằng tiền mặt, hoặc trước khi giao hàng bằng chuyển khoản.a

Thanh toán đối với hàng đặt:

Đợt 1: Thanh toán 50% tổng giá chị đơn hàng khi xác nhận đặt hàng.

Đợt 2: Thanh toán 50% giá trị đơn hàng ngay khi giao hàng bằng tiền mặt hoặc nhận được thông báo hàng đã về kho bên bán bằng chuyển khoản.
Công nợ: vui lòng liên hệ trực tiếp để được tư vấn.

Tất cả thiết bị do Thiết Bị Điện Số 1 bán ra đều có hóa đơn GTGT (VAT 10%)

3.Thông tin liên hệ để mua Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4:

Công Ty TNHH Kỹ Thuật Thiết Bị Điện Số 1
Địa chỉ: 11/2N Ấp Nam Lâm, Xã Bà Điểm, Huyện Hóc Môn, Thành Phố Hồ Chí Minh, Việt Nam
Số điện thoại: 070.3578.742
Email: sales02@thietbidienso1.com

Bình luận

1 đánh giá cho Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4

5.00 1 đánh giá của khách hàng
5 100% | 1 đánh giá
4 0% | 0 đánh giá
3 0% | 0 đánh giá
2 0% | 0 đánh giá
1 0% | 0 đánh giá
Đánh giá ngay
Đánh giá Mô đun IGBT Infineon FF1400R12IP4
Gửi ảnh chụp thực tế
0 ký tự (tối thiểu 10)
    +

    Tư vấn bán hàng qua Facebook

    Sản phẩm tương tự

    IGBT moudule Infineon FP75R12KT4

    4.000₫
    IGBT moudule Infineon FP75R12KT4
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector-Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,85 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 150 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 100 nA Pd - Tản điện: - Gói/Trường hợp: Tiết kiệm 3 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT Loạt: Trenchstop IGBT4 - T4 Tiểu thể loại: IGBT

    Mô đun IGBT infineon FS150R12KT3

    0₫
    Mô đun IGBT infineon FS150R12KT3
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: 6 gói Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1,2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 1,7 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 200 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 700 W Đóng gói / Vỏ bọc: EconoPACK Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 125 C Đóng gói: Cái mâm Nhãn hiệu: Công nghệ Infineon Chiều cao: 12mm Chiều dài: 35,6mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V

    Mô đun IGBT Infineon FP50R12KT4G

    7.000₫
    Mô đun IGBT Infineon FP50R12KT4G
    Nhà chế tạo: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT Cấu hình: Biến tần 3 pha Điện áp Collector-Emitter VCEO Max: 1,2 kV Điện áp bão hòa của bộ thu-phát: 1,85 V Dòng thu liên tục ở 25 C: 50 A Dòng điện rò rỉ cổng-Emitter: 100 nA Pd - Tản điện: 280 W Gói/Trường hợp: Tiết kiệm 3 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150C Bao bì: Cái mâm Thương hiệu: Công nghệ Infineon Điện áp bộ phát cổng tối đa: 20 V Kiểu lắp: Khung gầm Loại sản phẩm: Mô-đun IGBT

    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT3

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF300R12KT3
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 1.7 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 480 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 1.45 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 125 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.9 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V Kiểu gắn: Screw Mount Loại sản phẩm: IGBT Modules

    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF450R12KT4
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 2.1 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 580 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 2.4 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.5 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V

    Module IGBT Infineon FP25R12W1T7

    6.500₫
    Module IGBT Infineon FP25R12W1T7
    Cấu hình PIM Kích thước (chiều dài) 56,7mm Kích thước (chiều rộng) 48mm Nhà ở EasyPIM™ 1B I C( danh nghĩa) / I F( danh nghĩa) 25 A I C tối đa 25 A Trình độ chuyên môn Công nghiệp Công nghệ IGBT7 - T7 V CE(sat) (Tvj=25°C loại) 1,6 V VF ( loại Tvj=25°C) 1,83 V Cấp điện áp tối đa 1200V

    Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF300R17KE4
    Nhiệt độ hoạt động mở rộng T vj op V CEsat thấp Sự mạnh mẽ vô song V CEsat với hệ số nhiệt độ dương Tấm đế cách ly Nhà ở tiêu chuẩn 4 kV AC 1 phút Cách điện Gói có CTI > 400 Khoảng cách rò rỉ và khoảng cách thông thủy cao

    Mô đun IGBT Infineon FF400R12KE3

    0₫
    Mô đun IGBT Infineon FF400R12KE3
    Nhà sản xuất: Infineon Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT Sản phẩm: IGBT Silicon Modules Cấu hình: Dual Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa: 1.2 kV Điện áp bão hòa cực góp-cực phát: 1.7 V Dòng cực góp liên tục ở 25°C: 580 A Dòng rò cực cổng-cực phát: 400 nA Pd - Tiêu tán nguồn: 2 kW Đóng gói / Vỏ bọc: 62 mm Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 125 C Đóng gói: Tray Nhãn hiệu: Infineon Technologies Chiều cao: 30.9 mm Chiều dài: 106.4 mm Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V