PLC Panasonic

Phương pháp lập trình / Phương pháp điều khiển Biểu tượng rơle / Hoạt động tuần hoàn Số điểm I/O: Không có mở rộng (Chỉ có bộ điều khiển) 32 điểm [Đầu vào: 16, Đầu ra Transistor: 16] Số điểm I/O: Có mở rộng 1 Cùng loại đơn vị điều khiển và mở rộng Tối đa 128 điểm (Lưu ý: Đối với những hạn chế khi vận hành thiết bị, hãy tham khảo hướng dẫn sử dụng.) Số điểm I/O: Với phần mở rộng 2 Loại kết hợp giữa rơle và đơn vị bóng bán dẫn Tối đa 128 điểm (Lưu ý: Đối với những hạn chế khi vận hành thiết bị, hãy tham khảo hướng dẫn sử dụng.) Bộ nhớ chương trình EEPROM (không cần pin dự phòng) Năng lực chương trình 32 nghìn bước Số lượng hướng dẫn: Cơ bản Khoảng 110 Số lượng hướng dẫn: Cấp cao khoảng 210 Tốc độ hoạt động: Lên đến 3.000 bước Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 0,08 μs. Hướng dẫn hẹn giờ: Tối thiểu 2,2 μs. Hướng dẫn cấp cao: Tối thiểu 0,32 μs (hướng dẫn MV). Tốc độ hoạt động: 3.001 bước và các bước sau Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 0,58 μs. Hướng dẫn hẹn giờ: Tối thiểu 3,66 μs. Hướng dẫn cấp cao: Tối thiểu 1,62 μs (hướng dẫn MV). Bộ nhớ hoạt động: Rơ le: Rơ le bên trong (R) 4.096 điểm Bộ nhớ hoạt động: Rơ le: Bộ định thời/Bộ đếm (T/C) 1.024 điểm Bộ nhớ hoạt động: Vùng nhớ: Thanh ghi dữ liệu (DT) 32.765 từ Bộ nhớ hoạt động: Vùng nhớ: Thanh ghi chỉ mục (IX, IY) 14 từ (IO đến ID) Điểm rơle điều khiển chính (MCR) 256 từ

Phương pháp lập trình / Phương pháp điều khiển Biểu tượng rơle / Hoạt động tuần hoàn Số điểm I/O: Không mở rộng (Chỉ có bộ điều khiển) 32 điểm [Đầu vào: 16, Đầu ra Transistor: 16] Số điểm I/O: Có mở rộng 1 Cùng loại đơn vị điều khiển và mở rộng Tối đa 128 điểm (Lưu ý: Đối với những hạn chế khi vận hành thiết bị, hãy tham khảo hướng dẫn sử dụng.) Số điểm I/O: Với phần mở rộng 2 Kết hợp loại rơle và đơn vị bóng bán dẫn Tối đa 128 điểm (Lưu ý: Đối với những hạn chế khi vận hành thiết bị, hãy tham khảo hướng dẫn sử dụng.) Bộ nhớ chương trình EEPROM (không cần pin dự phòng) Năng lực chương trình 32 k bước Số lượng hướng dẫn: Cơ bản Khoảng 110 Số lượng hướng dẫn: Cấp cao Khoảng 210 Tốc độ hoạt động: Lên đến 3.000 bước Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 0,08 μs. Hướng dẫn hẹn giờ: Tối thiểu 2,2 μs. Hướng dẫn cấp cao: Tối thiểu 0,32 μs (hướng dẫn MV). Tốc độ hoạt động: 3.001 bước và các bước sau Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 0,58 μs. Hướng dẫn hẹn giờ: Tối thiểu 3,66 μs. Hướng dẫn cấp cao: Tối thiểu 1,62 μs (hướng dẫn MV). Bộ nhớ hoạt động: Rơ le: Rơ le bên trong (R) 4.096 điểm Bộ nhớ hoạt động: Rơ le: Bộ đếm thời gian/Bộ đếm (T/C) 1.024 điểm Bộ nhớ hoạt động: Vùng nhớ: Thanh ghi dữ liệu (DT) 32.765 từ